6П2.151
   А851

   
    Арсенид галлия в микроэлектронике : монография / Пер. с англ. под ред. В.Н. Мордковича ; ред.: Н. Айнспрук, У. Уиссмен. - М. : Мир, 1988. - 555 с. : ил. - ISBN 5-03-000130-1 : 4.90 р.
ГРНТИ 47.33.31
УДК:621.38.049.77
Ключевые слова: интегральные схемы -- арсенид галлия -- монографии
Доп.точки доступа: Айнспрук, Норман \ред.\ --- Уиссмен, Уильям \ред.\ ---
Экземпляры всего: 3
Mесто хранения: кх (3)
Свободны: кх (3)


   621.315
   Ш967

    Шур, Михаил.
    Современные приборы на основе арсенида галлия : научное издание / М. Шур ; Пер. с англ. под ред. М. Е. Левинштейна, В. Е. Челнокова. - М. : Мир, 1991. - 632 с. : ил. - ISBN 5-03-001459-4 : 10.50 р.
ГРНТИ 47.33.29
УДК:621.382621.315.5546
Ключевые слова: полупроводниковые приборы -- арсенид галлия -- полупроводники -- полевые транзисторы -- генераторы -- усилители -- цифровые интегральные схемы
Экземпляры всего: 1
Mесто хранения: чз (1)
Свободны: чз (1)


   6П2.151
   М341

    Материалы электронной техники / Отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев; Ин-т неорган. химии СО АН СССР. - Новосибирск : Наука, 1983 - .
   Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза. - 1983. - 216 с. : ил. - 2.40 р.
ГРНТИ 47
УДК:621.382
Ключевые слова: материалы электронной техники -- полупроводниковое материаловедение -- кристаллизация полупроводников -- арсенид галлия -- эпитаксия электрожидкостная -- диатаксия -- кристаллы полупроводников -- сборники
Доп.точки доступа: Кузнецов, Федор Андреевич \ред.\ --- Мохосоев, Маркс Васильевич \ред.\ --- Ин-т неорган. химии СО АН СССР

Экземпляры всего: 1
Mесто хранения: кх (1)
Свободны: кх (1)


   6П2.151
   П491

   
    Полевые транзисторы на арсениде галлия : Принципы работы и технология изготовления / Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола; Пер. с англ. под ред. Г. В. Петрова. - М. : Радио и связь, 1988. - 495 с. : ил. - ISBN 5-256-00136-1 : 2.70 р.
ГРНТИ 47.33
УДК:621.382.3
Ключевые слова: транзисторы -- полевые транзисторы -- арсенид галлия -- эпитаксия слоев -- конструирование транзисторов -- цифровые интегральные схемы
Доп.точки доступа: Ди Лоренцо, Д.В. \ред.\ --- Канделуола, Д.Д. \ред.\ ---
Экземпляры всего: 2
Mесто хранения: кх (2)
Свободны: кх (2)


   6п2.151
   Ч-689

    Чистяков, Ю. Д.
    Локальное травление в процессах изготовления полупроводниковых приборов на арсениде галлия : (Аналит. обзор) / Ю. Д. Чистяков, О. С. Булатов. - М. : ЦНИИ "Электроника", 1980. - 49 с. : ил. - (Полупроводниковые приборы ; вып. 3(708)). - 0.30 р.
ГРНТИ 55.22
УДК:621.794621.382
Ключевые слова: локальное травление -- полупроводниковые приборы -- арсенид галлия -- обработка поверхностей -- аналитические обзоры
Доп.точки доступа: Булатов, О.С. ---
Экземпляры всего: 2
Mесто хранения: кх (2)
Свободны: кх (2)